国庆假期这几天,中科院院士、浙江大学硅材料国家重点实验室教授杨德仁和同事并没有休息,而是忙于编制一个国家重点研发计划项目的实施方案。“这个项目叫做硅基发光基础理论及器件关键技术,10月中旬前后将正式启动。我们探寻用光来代替电子,在硅芯片上传输信息。”杨德仁告诉记者,如果在这一前沿领域有所突破,新的硅基光电子芯片有望成为现实。
与此同时,在金瑞泓微电子(衢州)有限公司的车间里,12英寸硅晶圆的生产线正在紧张安装调试。12英寸硅晶圆是当前制备芯片的基础,其全球生产长期垄断在少数几家外国企业手中。杨德仁带领团队和企业开展产学研合作,自主开发了制备微量掺氮、微量掺锗、重掺磷等12英寸硅晶圆技术,目前即将实现产业化。他说:“能够自己生产12英寸硅晶圆,我们在芯片产业国际竞赛中才有底气。”
硅材料,半个多世纪以来始终是微电子科技和产业飞速发展的基石,杨德仁在这一领域耕耘了30多年,研究成果两次获得国家自然科学奖。“硅储量丰富、环境友好、制备成本低……在可预见的未来,硅仍将是微电子发展不可或缺的基础。在硅材料上率先取得新的突破,将推动我们在微电子领域的一些关键方面赶超世界先进水平。”杨德仁说。
在杨德仁看来,我国硅材料基础研究已经能与国际先进水平平等对话,但走出实验室,硅材料创新成果的产业化程度相比发达国家还存在明显差距。“必须坚持走自主创新之路,形成自己的核心竞争优势。”他说,中国在硅材料的另一个重要应用领域——太阳能光伏上已经取得了世界级的成功,相信通过进一步科学布局、集聚资源、激活人才……我们在硅基微电子技术上也会不断有新作为。